關(guān)于MOS管內(nèi)的寄生二極管

關(guān)于MOS管內(nèi)的寄生二極管
MOS管的定義：場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)是在一塊N型半導(dǎo)體的兩邊利用雜質(zhì)擴(kuò)散出高濃度的P型區(qū)域，用P+表示，形成兩個(gè)P+N結(jié)。N型半導(dǎo)體的兩端引出兩個(gè)電極，分別稱為漏極D和源極S。把兩邊的P區(qū)引出電極并連在一起稱為柵極G。如果在漏、源極間加上正向電壓，N區(qū)中的多子（也就是電子）可以導(dǎo)電。它們從源極S出發(fā)，流向漏極D。電流方向由D指向S，稱為漏極電流ID.。由于導(dǎo)電溝道是N型的，故稱為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。
場(chǎng)效應(yīng)管（包括結(jié)型和絕緣柵型）的漏極與源極一般制成對(duì)稱的，漏極和源極可以互換使用。但是有的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管在制造產(chǎn)品時(shí)已把源極和襯底連接在一起了，因此這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨(dú)引出一個(gè)管腳，形成四個(gè)管腳。一般情況P襯底接低電位，N襯底接高電位。
MOS在半導(dǎo)體材料的層面上沒(méi)有本質(zhì)區(qū)別,當(dāng)時(shí)在半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)時(shí), 一般將襯底極與源極相連,因此MOSFET的開關(guān)性能與V_{GS}相關(guān),只要V_{GS}超過(guò)閾值,就導(dǎo)通/截止(取決于耗盡型還是增強(qiáng)型)因此本質(zhì)上S,D是由半導(dǎo)體器件制造時(shí)內(nèi)部連接方式?jīng)Q定的.因此反接會(huì)導(dǎo)致短路。
D-S之間的二極管的作用是防止VDD過(guò)壓的情況下，燒壞mos管，因?yàn)樵谶^(guò)壓對(duì)MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
另外：
G,S間的寄生電容較小，一般在幾pf到10幾pf左右。考慮到U=Q/C,故很容易在柵極上形成極高的ESD電壓，因此一般會(huì)在G-S之間加上TVS，防止G-S擊穿.

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