mos管和三極管相比優(yōu)缺點

MOS的導通壓降下，導通電阻小，柵極驅動不需要電流，損耗小，驅動電路簡單，自帶保護二極管，熱阻特性好，適合大功率并聯，缺點開關速度不高，比較昂貴三極管開關速度高，大型三極管的Ic可以做的很大，缺點損耗大，驅動復雜場效應管與三級管的比較：
1）場效應管是電壓操控元件，而三級管是電流操控元件；
2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱為單極性器件，而三級管既有多子，也有少子導電，稱之為雙極性器件；
3）場效應管靈活性比三級管好；
4）場效應管的制造工藝更適合于集成電路。
場效應管（FET）是利用電場效應操控電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被廣泛應用。
FET和雙極型三極管相類似，電極對應關系是b?G、e?S、c?D；由FET組成的擴大電路也和三極管擴大電路相類似，三極管擴大電路基極回路需要一個偏置電流(偏流)，而FET擴大電路的場效應管柵極沒有電流，所以FET擴大電路的柵極回路需要一個合適的偏置電壓(偏壓)。
FET組成的擴大電路和三極管擴大電路的主要區(qū)別在于：場效應管是電壓操控型器件，靠柵源之間的電壓變化來操控漏極電流的變化，擴大作用以跨導來體現；三極管是電流操控型器件，靠基極電流的變化來操控集電極電流的變化，擴大作用由電流擴大倍數來體現。

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